Chemical Mechanical Plamarization化學(xué)機(jī)械平坦化工藝，應(yīng)用于各種集成電路及半導(dǎo)體行業(yè)等減薄與平坦化加工。

  CMP工藝融合了化學(xué)研磨和物理研磨的過程，而單一的化學(xué)或物理研磨在表面精度、粗糙度、均勻性、材料去除率及表面損失程度上都不能同時(shí)滿足要求。CMP工藝兼具了二者的優(yōu)點(diǎn)，通過拋光液/研磨液（slurry）與拋光墊（Pad）化學(xué)機(jī)械作用，在保證材料去除效率的同時(shí)，得到準(zhǔn)確的表面材料層的厚度，獲得較好的晶圓表面平坦度和均勻性，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)甚至原子級(jí)的表面粗糙度，同時(shí)還能保證較小的表面損失程度。 基于簡(jiǎn)單的物理和化學(xué)原理過程，CMP工藝就能得到精準(zhǔn)和穩(wěn)定的微觀工藝結(jié)果，因此它已經(jīng)成為集成電路制造工藝流程中一種最廣泛采用且不斷擴(kuò)張應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)。

  CMP工藝的獨(dú)特之處是可以通過不同拋光液和拋光墊組合來滿足不同工件的拋磨工藝。根據(jù)對(duì)象的不同，CMP工藝主要分為硅拋光（Poly CMP)、硅氧化物拋光(Silicon Oxide CMP)、碳化硅拋光 ( Silicon Carbide CMP)、鎢拋光（W CMP）和銅拋光 (Cu CMP)。

  CMP拋光液參與到制造和TSV封裝微芯片的各個(gè)階段，從而去除平坦化晶片前表面上的多余材料，或者為添加下一層電路功能創(chuàng)建一個(gè)完美的平坦基礎(chǔ)，以保證晶片表面完全平坦化。

  吉致電子25年拋光液研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，為各行業(yè)客戶提供材料表面加工及研磨拋光解決方案，主營(yíng):碳化硅晶片研磨液、鉬拋光液、硅片拋光液、藍(lán)寶石拋光液、金剛石研磨液、氧化鋁精拋液、半導(dǎo)體材料、光學(xué)材料拋光液、紅外球罩拋光、金屬材料鏡面拋光。積極融入國(guó)產(chǎn)slurry替代大局中，與國(guó)內(nèi)主流的晶圓制造廠商均有深度合作，研發(fā)定制化的CMP產(chǎn)品逐步打破壁壘。

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