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吉致電子碳化硅SiC拋光液的作用

文章出處:責(zé)任編輯:人氣:-發(fā)表時間:2023-11-24 16:59【

   拋光液是CMP的關(guān)鍵耗材之一,拋光液中的氧化劑與碳化硅SiC單晶襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成薄且剪切強(qiáng)度很低的化學(xué)反應(yīng)膜,反應(yīng)膜(軟質(zhì)層)在磨粒的機(jī)械作用下被去除,露出新的表面,接著又繼續(xù)生成新的反應(yīng)膜,CMP工藝周而復(fù)始的進(jìn)行磨拋,達(dá)到表面平坦效果。

  通過研磨工藝使用微小粒徑的金剛石研磨液,對SiC晶片進(jìn)行機(jī)械拋光加工后,可大幅度改善晶圓表面平坦度。但加工表面存在很多劃痕,且有較深的殘留應(yīng)力層和機(jī)械損傷層。為進(jìn)一步提高碳化硅晶圓表面質(zhì)量,改善粗糙度及平整度,,超精密拋光是SiC表面加工工序中非常關(guān)鍵的一個環(huán)節(jié)。其中化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)是目前實現(xiàn)SiC晶片全局平坦化最有效的方法。CMP是通過化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨損協(xié)同作用,實現(xiàn)工件表面材料去除及平坦化的過程。

  吉致電子碳化硅拋光液的質(zhì)量對拋光速率及拋光質(zhì)量有著重要作用,拋光液特點是:

sic研磨拋光方案 CMP碳化硅

  ①流動性好,易循環(huán),低殘留、易清洗;

  ②懸浮性能好,不宜沉淀和結(jié)塊;

  ③去除率高,不產(chǎn)生表面損傷;

  拋光液通過粗拋、精拋工藝可使SiC表面質(zhì)量特征參數(shù)符合后序加工中的精度要求。

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