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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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[行業(yè)資訊]半導(dǎo)體晶圓CMP化學(xué)機(jī)械研磨拋光的原因[ 2024-06-24 17:19 ]
 什么是CMP化學(xué)機(jī)械研磨拋光？CMP（Chemical Mechanical Polishing）其實(shí)為化學(xué)與機(jī)械研磨（C&MP）的意思，化學(xué)作用與機(jī)械作用平等。目前CMP已成為半導(dǎo)體制程主流，其重要的原因主要有二：①為了縮小芯片面積，因此采用集成度高、細(xì)線化的多層金屬互連線（七層以上），因線寬極細(xì)，且需多層堆疊，故光刻制程即為一關(guān)鍵步驟。若晶圓表面凹凸不平，平坦度差，則會影響光刻精確度，因此需以CMP達(dá)成晶圓上金屬層間之全面平坦化（Global Planarization）。②為了降低元件之電
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[常見問題]吉致電子--襯底與晶圓CMP磨拋工藝的區(qū)別[ 2024-05-29 15:44 ]
  在半導(dǎo)體制造過程中，襯底和晶圓是兩個常見的術(shù)語。它們扮演著重要的角色，但在定義、結(jié)構(gòu)和用途上存在一些差異和區(qū)別。  襯底---作為基礎(chǔ)層的材料，承載著芯片和器件。它通常是一個硅片或其他材料的薄片，作為承載芯片和電子器件的基礎(chǔ)。襯底可以看作是半導(dǎo)體器件的“地基”。襯底的CMP磨拋工藝主要關(guān)注其表面的平整度、清潔度和粗糙度，確保后續(xù)工藝如外延生長、薄膜沉積等能夠順利進(jìn)行。  晶圓---則是從襯底中切割出來的圓形硅片，作為半導(dǎo)體芯片的主要基板。晶圓的CMP磨拋工藝
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[常見問題]吉致電子---氧化鈰研磨液在半導(dǎo)體CMP制程中的作用[ 2023-02-10 13:09 ]
  粒徑30-50nm的球形氧化鈰研磨液用于半導(dǎo)體芯片制程：應(yīng)用于芯片制程中氧化硅薄膜、集成電路STI(淺溝槽隔離層)CMP  STI目前已成為器件之間隔離的關(guān)鍵技術(shù)，目前已取代LOCOS(硅的局部氧化)技術(shù)。其主要步驟包括在純硅片上刻蝕淺溝槽、進(jìn)行二氧化硅沉積、后用CMP技術(shù)進(jìn)行表面平坦化。目前的研究表明采用納米氧化鈰作為CMP磨料，在拋光效率及效果上均優(yōu)于其他產(chǎn)品。  納米氧化鈰拋光液在硅晶圓CMP平坦化的效果優(yōu)異  粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液用于單晶硅片表面C
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