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[常見問題]SiC碳化硅應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?[ 2024-04-30 18:03 ]
碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷兩大類,無論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大干億賽道的關(guān)鍵材料之一。例如:單晶方面:碳化硅作為目前發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行業(yè),萬眾矚目。陶瓷方面:碳化硅憑借其優(yōu)異的高溫強(qiáng)度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導(dǎo)熱性、耐腐蝕性等性能,近年來隨著新能源汽車、半導(dǎo)體、光伏等行業(yè)的起飛而需求爆發(fā),深深地滲入到這些新興領(lǐng)域的
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[常見問題]第三代半導(dǎo)體--碳化硅和氮化鎵的區(qū)別[ 2023-11-03 17:35 ]
  隨著國家對第三代半導(dǎo)體材料的重視,近年來我國半導(dǎo)體材料市場發(fā)展迅猛,其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關(guān)注,兩者經(jīng)常被拿來比較。  同為寬近帶半導(dǎo)體的成員,碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢?碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料,它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導(dǎo)電性能好的特點。  隨著市場對半導(dǎo)體器件微型化、導(dǎo)熱性的高要求,這類材料的市場需求暴漲,適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。  ①性能不同:高電子遷移
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[吉致動態(tài)]第三代半導(dǎo)體材料--碳化硅晶圓SiC拋光液[ 2023-04-17 16:49 ]
  隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限,同時硅也滿足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發(fā)展的需要,以化合物半導(dǎo)體材料,特別是第三代半導(dǎo)體為代表的半導(dǎo)體新材料快速崛起。  碳化硅是新型電力系統(tǒng),特高壓電網(wǎng)必需的可達(dá)萬伏千安等級的唯一功率半導(dǎo)體材料,同時也是高鐵和新能源汽車牽引、電控系統(tǒng)的“心臟”。從國際技術(shù)發(fā)展水平來看,碳化硅方面,8英寸襯底開始產(chǎn)業(yè)化,車規(guī)級功率器件是當(dāng)前開發(fā)重點,多家廠商已推出大功率模組及高溫封裝產(chǎn)品,碳化硅器件正向耐受更高電壓
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[行業(yè)資訊]拋光液廠家--CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料?[ 2023-02-17 15:50 ]
  CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料?  CMP拋光液越來越多的應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體材料的拋光,科研方向朝著攻克拋光液技術(shù)門檻和市場壁壘發(fā)展。CMP工藝的集成電路比例在不斷增加,對CMP材料種類和用量的需求也在增加。更先進(jìn)的邏輯芯片工藝可能會要求拋光新的材料,為CMP拋光材料帶來了更多的增長機(jī)會。  目前,第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。這代半導(dǎo)體具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力
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[行業(yè)資訊]半導(dǎo)體拋光液---半導(dǎo)體材料有哪些?[ 2022-11-17 15:37 ]
  半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)從材料端分為:第一代元素半導(dǎo)體材料,如硅(Si)和鍺(Ge);第二代化合物半導(dǎo)體材料:如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等;第三代寬禁帶材料:如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(ALN)、氧化鎵(Ga2O3)等。  碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)、氮化鋁(ALN)、氧化鎵(Ga2O3)等,因為禁帶寬度大于2.2eV統(tǒng)稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料,在國內(nèi)也稱為第三代半導(dǎo)體材料。其中碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景最明朗的半導(dǎo)體材料,堪稱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道&
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