- [吉致動態(tài)]吉致電子:CMP鉬金屬研磨液,點亮鉬材非凡光彩[ 2024-09-29 16:55 ]
- 無錫吉致電子科技有限公司是CMP研磨液、拋光墊及CMP拋光耗材研發(fā)生產廠家,至今已有 20 余年的研發(fā)經驗。 吉致電子CMP產品廣泛應用于金屬、光電、集成電路半導體、陶瓷、硬盤面板顯示器等材質的表面深度處理,目前已發(fā)展為集研發(fā)、生產、銷售于一體的現(xiàn)代工業(yè)科技廠家。目前我司生產的鉬金屬研磨液適用于平面形態(tài)的鉬、鉬合金工件的鏡面拋光,通過 化學機械平面研磨工藝,使鉬金屬表面快速去粗和平坦化,過程簡單來說就是利用拋光設備將鉬金屬拋光液化學氧化腐蝕鉬合金表面,再通過拋光墊外力研磨去除氧
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- [吉致動態(tài)]吉致電子陶瓷覆銅板研磨液[ 2024-09-24 17:46 ]
- 陶瓷覆銅板 CMP 拋光液的定義,為半導體行業(yè)電子封裝使用的研磨液及拋光液,適用于陶瓷覆銅板粗拋及精拋。提高陶瓷工件表面去除率和平坦化性能,提供鏡面效果,解決電鍍銅層厚度及均勻性、表面粗糙度等拋光難題。吉致電子陶瓷覆銅板研磨液具有懸浮性好不易沉淀,顆粒分散均勻不團聚,軟硬度適中避免劃傷,拋磨過程中提高拋光速度和質量,分散性好降低微劃傷概率提高精度,無粉塵產生環(huán)保安全,可定制化滿足不同需求。吉致電子CMP研磨液的分類與成分:根據拋光對象分為不同類別,成分包括研磨顆粒、PH 值調節(jié)劑、氧化劑、分散劑以及表面活性劑,各成
- http://m.shatx.com/Article/article-97761756101_1.html
- [吉致動態(tài)]碳化硅襯底需要CMP嗎[ 2024-01-30 17:17 ]
- 碳化硅襯底需要CMP嗎?需要碳化硅SIC晶圓生產的最終過程為化學機械研磨平面步驟---簡稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長的襯底表面,同時使晶圓表面平坦化達到理想的粗糙度。 化學機械拋光步驟一般使用化學研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來實現(xiàn)的。碳化硅晶圓置于研磨片上,通過夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學反應及物理摩擦中,僅從晶圓表面去除幾微米。 吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液,以及研
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- [吉致動態(tài)]吉致電子--單晶金剛石研磨液的用途[ 2023-10-20 13:47 ]
- 吉致電子單晶金剛石研磨液是由單晶金剛石微粉、水/油等液體配制而成的CMP研磨液,可有效提高切削力和拋光效率。單晶金剛石硬度大、抗磨損性能好,具有良好的導熱性能和耐高溫性能,能夠在高溫高壓環(huán)境下保持穩(wěn)定的物理和化學性質。 吉致電子生產的單晶金剛石研磨液 / 單晶金剛石拋光液 / 單晶金剛石懸浮液產品可廣泛應用于半導體、集成電路、光學儀器,精密陶瓷,硬質合金,LED顯示屏等多種領域。溶劑一般分為水基,油基,潤滑基,酒精基。金剛石研磨液粒度:1μm,3μm,6μm,9μm (也可定制0.25μm
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- [吉致動態(tài)]吉致電子---常見的半導體研磨液有哪些[ 2023-07-31 17:23 ]
- 吉致電子半導體研磨液有哪些?常見的CMP研磨液有氧化鋁研磨液,金剛石研磨液,藍寶石研磨液。分別用于磨削工件、半導體制程、光學玻璃晶圓等工件加工。 其中金剛石研磨液,它的硬度非常高,性能穩(wěn)定切削力強,被廣泛應用于led工業(yè)、半導體產業(yè)、光學玻璃和寶石加工業(yè)、機械加工業(yè)等不同行業(yè)中。研磨液是半導體加工生產過程中的一項非常重要工藝,它主要是通過CMP研磨液混配磨料的方式對半導體表面進行精密加工,達到平坦度。研磨液是影響半導體表面工作質量的重要經濟因素。吉致電子用經驗和技術服務每一位客戶,有CMP
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- [吉致動態(tài)]吉致電子常見的CMP研磨液[ 2023-02-27 16:15 ]
- CMP 化學機械拋光液slurry的主要成分包括:磨料、添加劑和分散液。添加劑的種類根據產品適用場景也有所不同,分金屬拋光液和非金屬拋光液。金屬CMP拋光液含:金屬絡合劑、腐蝕抑制劑等。非金屬CMP拋光液含:各種調節(jié)去除速率和選擇比的添加劑。 根據拋光對象不同,拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等類別。其中,銅拋光液和鎢拋光液主要用于邏輯芯片和存儲芯片制造過程,在10nm 及以下技術節(jié)點中,鈷將部分代替銅作為導線;硅拋光液主要用于硅晶圓初步加工過程中。吉致電子常見的CMP研
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- [行業(yè)資訊]研磨液廠家--- 什么是CMP研磨液Slurry[ 2023-02-24 16:31 ]
- CMP研磨液(Slurry)是化學機械平面工藝中的研磨材料和化學添加劑的混合物。Slurry主要是由磨料 、表面活性劑、氧化劑、PH緩沖膠和防腐劑等成分組成。其中磨料一般包括二氧化硅(SiO2)、 三氧化二鋁(Al2O3)、 氧化鈰(CeO2),金剛石(單晶、多晶)等。 通俗來講,芯片制造就像蓋高樓,一層一層往上疊加,要想樓不塌,在制造下一層前必須確保本層的平坦度,這就是CMP平坦化的訴求。Wafer晶圓在制造過程中表面上是不平坦的,比如CVD、PVD、EPI、Tungsten Plug等
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